模拟CMOS集成电路设计-国外名校最新教材精选
作 者：(美)毕查德·拉扎维　著，陈贵灿　等译
出 版 社：西安交通大学出版社
出版时间：2003-2-1
ＩＳＢＮ：9787560516066
版 次：1
页 数：562
字 数：877000
印刷时间：2013-12-1
开 本：16开
纸 张：胶版纸
印 次：14
包 装：平装
定 价：75.00
    毕查德·拉扎维编著的这本《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。
     《模拟CMOS集成电路设计》是现代模拟集成电路设计的理想教材或参考书。可供与集成电路领域有关的各电类专业的高年级本科生和研究生使用，也可供从事这一领域的工程技术人员自学和参考。

作者简介中文版前言译者序序致谢第1章  模拟电路设计绪论第2章  MOS器件物理基础第3章  单级放大器第4章  差动放大器第5章  无源与有源电流镜

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